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International Rectifier (Infineon Technologies)
SPB04N60C3ATMA1 Image

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siehe Spezifikationen für Produktdetails.

SPB04N60C3ATMA1

Hersteller-Teilenummer: SPB04N60C3ATMA1
Hersteller / Marke: International Rectifier (Infineon Technologies)
Teil der Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 4.5A D2PAK
Datenblätte: SPB04N60C3ATMA1.pdf
RoHs Status: Lead free / RoHS Compliant
Zustand des Lagers: 11 pcs Stock
ECAD -Modell:
Liefern von: Hong Kong
Versandweg: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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  • ArtikelnummerSPB04N60C3ATMA1
  • HerstellerInternational Rectifier (Infineon Technologies)
  • BeschreibungMOSFET N-CH 650V 4.5A D2PAK
  • KategorieDiskrete Halbleiterprodukte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel
  • Teilstatus11 pcs Stock
  • VGS (th) (Max) @ Id3.9V @ 200µA
  • Vgs (Max)±20V
  • TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-GehäusePG-TO263-3-2
  • SerieCoolMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs950 mOhm @ 2.8A, 10V
  • Verlustleistung (max)50W (Tc)
  • VerpackungCut Tape (CT)
  • Verpackung / GehäuseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Andere NamenSPB04N60C3ATMA1CT
    SPB04N60C3INCT
    SPB04N60C3INCT-ND
    SPB04N60C3XTINCT
    SPB04N60C3XTINCT-ND
  • Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
  • BefestigungsartSurface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-StatusLead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds490pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs25nC @ 10V
  • Typ FETN-Channel
  • FET-Merkmal-
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)650V
  • detaillierte BeschreibungN-Channel 650V 4.5A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C4.5A (Tc)
  • SPB04N60C3ATMA1 Einzelheiten PDF [English]SPB04N60C3ATMA1 PDF - EN.pdf
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